珠海炬力笔试题（unknown）
珠海炬力笔试题（部分、答案仅供参考）QingGaoshouzhijiao1．降低NMOS的开启电压VT的方法，哪种无效？CA.减少衬底的P型掺杂浓度B.减少氧化层厚度C.增加源漏极的N型掺杂浓度D.减少沟道长度2．IOPAD的设计，一般不常考虑的因素DA.ESD...
珠海炬力笔试题（部分、答案仅供参考）QingGaoshouzhijiao1．降低NMOS的开启电压VT的方法，哪种无效？CA.减少衬底的P型掺杂浓度B.减少氧化层厚度C.增加源漏极的N型掺杂浓度D.减少沟道长度2．IOPAD的设计，一般不常考虑的因素DA.ESD...