全部作者：张景文 徐庆安 侯洵第1作者单位：西安交通大学论文摘要：利用射频溅射装置在石英衬底上生长了具有C轴择优取向的ZnO薄膜，通过光刻、真空蒸镀Al电极等工艺，制得了具有叉指状电极的平面结构光电导型紫外探测器。暗态及360nm光照下探测器的I-V特性均为线性，并有较大的差别，5V偏压下暗电流仅为0.038uA, 360nm处的.光电响应度为1.8A/W。利用脉冲宽度为30ns的KrF准分子激光器和200MHz带宽的示波器搭建了响应时间测试平台，测试结果表明该探测器响应时间谱上升时间仅为100ns，下降时间为1.5us。关键词：ZnO;紫外探测器，X射线衍射，透射谱，光电响应度，光电响应时间 (浏览全文)发表日期：2006年11月28日同行评议：
（暂时没有）
综合评价：（暂时没有）修改稿：
